陈庆丰
ZL202420354854.X
该发明的主要改良在于，第一电极、光电转换层及第二电极，皆分别通过真空镀膜方式配合屏蔽而使用，因此在沉积等膜层时，即可一并形成膜层上所须的沟槽，以完成各光电转换单元之间的断路线路与导线连接，该发明不使用雷射切割与机械切割，使制作出的电池质量良好，而且制作工艺方便简单。
